VWM200-01P - MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Número de pieza del fabricante

VWM200-01P

Número interno de parte

ABC-VWM200-01P

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

49647 Pieces

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Especificaciones para VWM200-01P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : VWM200-01P

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET 6N-CH 100V 210A V2

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 210A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 430nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : V2-PAK

Paquete del dispositivo del proveedor : V2-PAK

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para VWM200-01P

Hojas de datos : VWM200-01P.pdf

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