A2G35S200-01SR3 - AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Número de pieza del fabricante

A2G35S200-01SR3

Número interno de parte

ABC-A2G35S200-01SR3

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

38556 Pieces

Precio de referencia

~~USD 61.71792~~

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Especificaciones para A2G35S200-01SR3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : A2G35S200-01SR3

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de transistor : LDMOS

Frecuencia : 3.4GHz ~ 3.6GHz

Ganancia : 16.1dB

Voltaje - prueba : 48V

Valoración actual : -

Figura de ruido : -

Corriente - Prueba : 291mA

Salida de potencia : 180W

Tensión nominal : 125V

Paquete / Caja : NI-400S-2S

Paquete del dispositivo del proveedor : NI-400S-2S

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para A2G35S200-01SR3

Hojas de datos : A2G35S200-01SR3.pdf

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