MBR200150CT - DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Número de pieza del fabricante

MBR200150CT

Número interno de parte

ABC-MBR200150CT

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

45568 Pieces

Precio de referencia

~~USD 32.8292~~

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Especificaciones para MBR200150CT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MBR200150CT

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Configuración de diodo : 1 Pair Common Cathode

Tipo de diodo : Schottky

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 150V

Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) : 100A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 880mV @ 100A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 3mA @ 150V

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Twin Tower

Paquete del dispositivo del proveedor : Twin Tower

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : MBR , MBR20

Documentos para MBR200150CT

Hojas de datos : MBR200150CT.pdf

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