IPG20N04S4L11AATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON

Número de pieza del fabricante

IPG20N04S4L11AATMA1

Número interno de parte

ABC-IPG20N04S4L11AATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1360919 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.240515~~

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Especificaciones para IPG20N04S4L11AATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IPG20N04S4L11AATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET 2N-CH 8TDSON

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.6 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 15µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1990pF @ 25V

Potencia - max : 41W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-TDSON-8-10

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IPG20N , IPG20N04S

Documentos para IPG20N04S4L11AATMA1

Hojas de datos : IPG20N04S4L11AATMA1.pdf

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