HGT1S10N120BNST - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Número de pieza del fabricante

HGT1S10N120BNST

Número interno de parte

ABC-HGT1S10N120BNST

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

363083 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.90148~~

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Especificaciones para HGT1S10N120BNST

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HGT1S10N120BNST

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo IGBT : NPT

Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) : 1200V

Corriente - Colector (Ic) (Max) : 35A

Corriente - Colector Pulsado (Icm) : 80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A

Potencia - max : 298W

Energía de conmutación : 320µJ (on), 800µJ (off)

Tipo de entrada : Standard

Carga de la puerta : 100nC

Td (encendido / apagado) a 25 ° C : 23ns/165ns

Condición de prueba : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : HGT1S , HGT1S10

Documentos para HGT1S10N120BNST

Hojas de datos : HGT1S10N120BNST.pdf

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