SI5915BDC-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Número de pieza del fabricante

SI5915BDC-T1-E3

Número interno de parte

ABC-SI5915BDC-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

51688 Pieces

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Especificaciones para SI5915BDC-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI5915BDC-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 8V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 420pF @ 4V

Potencia - max : 3.1W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead

Paquete del dispositivo del proveedor : 1206-8 ChipFET™

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI5915BDC-T1-E3

Hojas de datos : SI5915BDC-T1-E3.pdf

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