SI8902EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

Número de pieza del fabricante

SI8902EDB-T2-E1

Número interno de parte

ABC-SI8902EDB-T2-E1

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

724605 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.451725~~

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Especificaciones para SI8902EDB-T2-E1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI8902EDB-T2-E1

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 980µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : 1W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-MICRO FOOT®CSP

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI890 , SI8902E

Documentos para SI8902EDB-T2-E1

Hojas de datos : SI8902EDB-T2-E1.pdf

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