CSD19534Q5AT - MOSFET N-CH 100V 50 8SON

Número de pieza del fabricante

CSD19534Q5AT

Número interno de parte

ABC-CSD19534Q5AT

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 50 8SON

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

926989 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para CSD19534Q5AT

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD19534Q5AT

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 100V 50 8SON

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.1 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1680pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.2W (Ta), 63W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-VSONP (5x6)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD19534Q5AT

Hojas de datos : CSD19534Q5AT.pdf

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