FQD2N60CTM - MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Número de pieza del fabricante

FQD2N60CTM

Número interno de parte

ABC-FQD2N60CTM

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1589868 Pieces

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Especificaciones para FQD2N60CTM

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQD2N60CTM

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.9A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 235pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 44W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQD , FQD2N

Documentos para FQD2N60CTM

Hojas de datos : FQD2N60CTM.pdf

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