PMDPB56XN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Número de pieza del fabricante

PMDPB56XN,115

Número interno de parte

ABC-PMDPB56XN,115

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52702 Pieces

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Especificaciones para PMDPB56XN,115

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMDPB56XN,115

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.9nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 170pF @ 15V

Potencia - max : 510mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN2020-6

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMDP , PMDPB5

Documentos para PMDPB56XN,115

Hojas de datos : PMDPB56XN,115.pdf

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