TPH3206LDGB - GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Número de pieza del fabricante

TPH3206LDGB

Número interno de parte

ABC-TPH3206LDGB

Fabricante

Transphorm

Breve descripción

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

77931 Pieces

Precio de referencia

~~USD 5.4~~

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Especificaciones para TPH3206LDGB

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPH3206LDGB

Fabricante : Transphorm

Descripción : GANFET N-CH 650V 16A PQFN

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 16A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±18V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 760pF @ 480V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 81W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PQFN (8x8)

Paquete / Caja : 3-PowerDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TPH , TPH32

Documentos para TPH3206LDGB

Hojas de datos : TPH3206LDGB.pdf

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