TPS1120DR - MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Número de pieza del fabricante

TPS1120DR

Número interno de parte

ABC-TPS1120DR

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

722722 Pieces

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Especificaciones para TPS1120DR

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TPS1120DR

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 P-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 15V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : 840mW

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SOIC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Hojas de datos : TPS1120DR.pdf

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