SE10FJHM3/I - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Número de pieza del fabricante

SE10FJHM3/I

Número interno de parte

ABC-SE10FJHM3/I

Fabricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6978461 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.046905~~

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Especificaciones para SE10FJHM3/I

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SE10FJHM3/I

Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.05V @ 1A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 780ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : 7.5pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-219AB

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-219AB (SMF)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SE10FJHM3/I

Hojas de datos : SE10FJHM3/I.pdf

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