2N6798U - MOSFET N-CH 200V 18LCC

Número de pieza del fabricante

2N6798U

Número interno de parte

ABC-2N6798U

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 18LCC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

73184 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para 2N6798U

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2N6798U

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 200V 18LCC

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.29nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 18-ULCC (9.14x7.49)

Paquete / Caja : 18-CLCC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 2N6798U

Hojas de datos : 2N6798U.pdf

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