PSMN8R5-108ESQ - MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Número de pieza del fabricante

PSMN8R5-108ESQ

Número interno de parte

ABC-PSMN8R5-108ESQ

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

46150 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para PSMN8R5-108ESQ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PSMN8R5-108ESQ

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 108V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tj)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 111nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5512pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 263W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PSMN , PSMN8R5

Documentos para PSMN8R5-108ESQ

Hojas de datos : PSMN8R5-108ESQ.pdf

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