APTM100H80FT1G - MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Número de pieza del fabricante

APTM100H80FT1G

Número interno de parte

ABC-APTM100H80FT1G

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

50336 Pieces

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Especificaciones para APTM100H80FT1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTM100H80FT1G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V (1kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 960 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3876pF @ 25V

Potencia - max : 208W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : SP1

Paquete del dispositivo del proveedor : SP1

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APTM , APTM100

Documentos para APTM100H80FT1G

Hojas de datos : APTM100H80FT1G.pdf

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