SQJB70EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Número de pieza del fabricante

SQJB70EP-T1_GE3

Número interno de parte

ABC-SQJB70EP-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1575903 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.207705~~

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Especificaciones para SQJB70EP-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQJB70EP-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 220pF @ 25V

Potencia - max : 27W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : PowerPAK® SO-8 Dual

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® SO-8 Dual

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SQJB7 , SQJB70E

Documentos para SQJB70EP-T1_GE3

Hojas de datos : SQJB70EP-T1_GE3.pdf

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