DMTH10H010LCTB-13 - MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Número de pieza del fabricante

DMTH10H010LCTB-13

Número interno de parte

ABC-DMTH10H010LCTB-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

675591 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.4845~~

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Especificaciones para DMTH10H010LCTB-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMTH10H010LCTB-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 108A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2592pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMTH10H010LCTB-13

Hojas de datos : DMTH10H010LCTB-13.pdf

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