1N4448,113 - DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Número de pieza del fabricante

1N4448,113

Número interno de parte

ABC-1N4448,113

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

112168 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para 1N4448,113

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N4448,113

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 200mA (DC)

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 100mA

Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 4ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 25nA @ 20V

Capacitancia a Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : DO-204AH, DO-35, Axial

Paquete del dispositivo del proveedor : ALF2

Temperatura de funcionamiento - Unión : 200°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N4448,113

Hojas de datos : 1N4448,113.pdf

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