R8002ANJFRGTL - R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Número de pieza del fabricante

R8002ANJFRGTL

Número interno de parte

ABC-R8002ANJFRGTL

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

596876 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para R8002ANJFRGTL

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : R8002ANJFRGTL

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : R8002ANJ FRG IS A POWER MOSFET W

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 250pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 62W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : LPTS

Paquete / Caja : SC-83

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : R800 , R8002A

Documentos para R8002ANJFRGTL

Hojas de datos : R8002ANJFRGTL.pdf

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