1N916B_T50R - DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-1N916B_T50R
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27438 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para 1N916B_T50R
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : 1N916B_T50R
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 200mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 20mA
Velocidad : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 4ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 75V
Capacitancia a Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete / Caja : DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor : DO-35
Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para 1N916B_T50R
Hojas de datos : 1N916B_T50R.pdf
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