APTMC120HM17CT3AG - POWER MODULE - SIC MOSFET

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
POWER MODULE - SIC MOSFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
59023 Pieces
Precio de referencia
USD 448.1778
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Especificaciones para APTMC120HM17CT3AG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APTMC120HM17CT3AG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : POWER MODULE - SIC MOSFET
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : 4 N-Channel
Característica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 147A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5576pF @ 1000V
Potencia - max : 750W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : Module
Paquete del dispositivo del proveedor : SP3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : APTMC , APTMC120

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Hojas de datos : APTMC120HM17CT3AG.pdf

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