SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Número de pieza del fabricante

SI5511DC-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI5511DC-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

53989 Pieces

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Especificaciones para SI5511DC-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI5511DC-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N and P-Channel

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 435pF @ 15V

Potencia - max : 3.1W, 2.6W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead

Paquete del dispositivo del proveedor : 1206-8 ChipFET™

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI551 , SI5511D

Documentos para SI5511DC-T1-GE3

Hojas de datos : SI5511DC-T1-GE3.pdf

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