GA05JT12-247 - TRANS SJT 1200V 5A

Número de pieza del fabricante

GA05JT12-247

Número interno de parte

ABC-GA05JT12-247

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 1200V 5A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

107096 Pieces

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Especificaciones para GA05JT12-247

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GA05JT12-247

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 1200V 5A

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 106W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247AB

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : GA05 , GA05JT

Documentos para GA05JT12-247

Hojas de datos : GA05JT12-247.pdf

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