IRFB3006GPBF - MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Número de pieza del fabricante

IRFB3006GPBF

Número interno de parte

ABC-IRFB3006GPBF

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

330799 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IRFB3006GPBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFB3006GPBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 195A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 170A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 300nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 8970pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220AB

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para IRFB3006GPBF

Hojas de datos : IRFB3006GPBF.pdf

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