APT11N80BC3G - MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Número de pieza del fabricante

APT11N80BC3G

Número interno de parte

ABC-APT11N80BC3G

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

123648 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.025~~

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Especificaciones para APT11N80BC3G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APT11N80BC3G

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 11A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 680µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1585pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 156W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247 [B]

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APT1 , APT11N

Documentos para APT11N80BC3G

Hojas de datos : APT11N80BC3G.pdf

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