BSO080P03SHXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Número de pieza del fabricante

BSO080P03SHXUMA1

Número interno de parte

ABC-BSO080P03SHXUMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

871983 Pieces

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Especificaciones para BSO080P03SHXUMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSO080P03SHXUMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO

Serie : OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 12.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 136nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5890pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.79W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : P-DSO-8

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : BSO08 , BSO080P0

Documentos para BSO080P03SHXUMA1

Hojas de datos : BSO080P03SHXUMA1.pdf

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