DMN3190LDW-13 - MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Número de pieza del fabricante

DMN3190LDW-13

Número interno de parte

ABC-DMN3190LDW-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8350125 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DMN3190LDW-13

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN3190LDW-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 87pF @ 20V

Potencia - max : 320mW

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-363

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMN3190LDW-13

Hojas de datos : DMN3190LDW-13.pdf

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