ALD1110EPAL - MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Número de pieza del fabricante

ALD1110EPAL

Número interno de parte

ABC-ALD1110EPAL

Fabricante

Advanced Linear Devices Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

115120 Pieces

Precio de referencia

~~USD 3.2493~~

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Especificaciones para ALD1110EPAL

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ALD1110EPAL

Fabricante : Advanced Linear Devices Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

Serie : EPAD®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 10V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.01V @ 1µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2.5pF @ 5V

Potencia - max : 600mW

Temperatura de funcionamiento : 0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : 8-DIP (0.300", 7.62mm)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDIP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para ALD1110EPAL

Hojas de datos : ALD1110EPAL.pdf

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