SIHD4N80E-GE3 - MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Número de pieza del fabricante

SIHD4N80E-GE3

Número interno de parte

ABC-SIHD4N80E-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

327320 Pieces

Precio de referencia

~~USD 1~~

Nuestro precio

- (Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio: [email protected])

ABC Semiconductor tiene SIHD4N80E-GE3 en stock para vender. Podemos enviarle dentro de 1-2 días. Póngase en contacto con nosotros para obtener un mejor precio para SIHD4N80E-GE3. Nuestro correo electrónico: [email protected]

Opciones de envío y tiempo de envío:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opciones de pago:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Especificaciones para SIHD4N80E-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SIHD4N80E-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Serie : E

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 800V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.3A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.27 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 622pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 69W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D-PAK (TO-252AA)

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SIHD , SIHD4N

Documentos para SIHD4N80E-GE3

Hojas de datos : SIHD4N80E-GE3.pdf

Productos relacionados para SIHD4N80E-GE3 Vishay Siliconix

Número de pieza	Marca	Descripción
C0805C154KMREC	KEMET	Ceramic Capacitors 0805 150NF 63V X7R 10.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 14KV SCREW.
WX110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 14KV SCREW.
WF165336WQ75233BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 20KV SCREW.
WF135242BQ25236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WF125420WN76236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7600PF 18KV SCREW.
WI140316WQ75236BJ3	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
WF135242BQ25238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 2500PF 25KV SCREW.
WF165380WQ75238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 7500PF 22.5KV SCREW.
WF110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 14KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 160PF 9KV AXIAL.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4000PF 16KV SCREW.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 13KV R230 DISK.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 20KV.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 4700PF 14KV SCREW.