RFN1L6STE25 - DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Número de pieza del fabricante

RFN1L6STE25

Número interno de parte

ABC-RFN1L6STE25

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5535670 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.05913~~

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Especificaciones para RFN1L6STE25

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : RFN1L6STE25

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

Serie : -

Estado de la pieza : Not For New Designs

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 800mA

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.45V @ 800mA

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 35ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-214AC, SMA

Paquete del dispositivo del proveedor : PMDS

Temperatura de funcionamiento - Unión : 150°C (Max)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : RFN , RFN1L

Documentos para RFN1L6STE25

Hojas de datos : RFN1L6STE25.pdf

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