CSD19501KCS - MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Número de pieza del fabricante

CSD19501KCS

Número interno de parte

ABC-CSD19501KCS

Fabricante

T-I

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

327320 Pieces

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Especificaciones para CSD19501KCS

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : CSD19501KCS

Fabricante : T-I

Descripción : MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Serie : NexFET™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.6 mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3980pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 217W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para CSD19501KCS

Hojas de datos : CSD19501KCS.pdf

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