APT10M09B2VFRG - MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Número de pieza del fabricante

APT10M09B2VFRG

Número interno de parte

ABC-APT10M09B2VFRG

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59351 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para APT10M09B2VFRG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APT10M09B2VFRG

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Serie : POWER MOS V®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 350nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 9875pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 625W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : T-MAX™ [B2]

Paquete / Caja : TO-247-3 Variant

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APT1 , APT10M0

Documentos para APT10M09B2VFRG

Hojas de datos : APT10M09B2VFRG.pdf

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