MMIX1F360N15T2 - MOSFET N-CH 150V 235A

Número de pieza del fabricante

MMIX1F360N15T2

Número interno de parte

ABC-MMIX1F360N15T2

Fabricante

IXYS

Breve descripción

MOSFET N-CH 150V 235A

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

90176 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para MMIX1F360N15T2

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : MMIX1F360N15T2

Fabricante : IXYS

Descripción : MOSFET N-CH 150V 235A

Serie : GigaMOS™, TrenchT2™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 235A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 715nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 47500pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 680W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 24-SMPD

Paquete / Caja : 24-PowerSMD, 21 Leads

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para MMIX1F360N15T2

Hojas de datos : MMIX1F360N15T2.pdf

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