AS4C256M16D3B-12BAN - IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Número de pieza del fabricante

AS4C256M16D3B-12BAN

Número interno de parte

ABC-AS4C256M16D3B-12BAN

Fabricante

Alliance Memory, Inc.

Breve descripción

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

67023 Pieces

Precio de referencia

~~USD 6.98~~

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Especificaciones para AS4C256M16D3B-12BAN

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : AS4C256M16D3B-12BAN

Fabricante : Alliance Memory, Inc.

Descripción : IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Serie : Automotive, AEC-Q100

Estado de la pieza : Active

Tipo de memoria : Volatile

Formato de memoria : DRAM

Tecnología : SDRAM - DDR3

Tamaño de la memoria : 4Gb (256M x 16)

Frecuencia de reloj : 800MHz

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns

Tiempo de acceso : 20ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 1.425V ~ 1.575V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 105°C (TC)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 96-TFBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : 96-FBGA (13.5x9)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : AS4C25 , AS4C256M1

Documentos para AS4C256M16D3B-12BAN

Hojas de datos : AS4C256M16D3B-12BAN.pdf

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WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 5000PF 16KV SCREW.
WF165335WL10338BJ1	Vishay Beyschlag	Ceramic Capacitors 10000PF 16KV SCREW.
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