SI5513CDC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
ABC-SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2686509 Pieces
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Especificaciones para SI5513CDC-T1-GE3
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : SI5513CDC-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descripción : MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Característica FET : Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 285pF @ 10V
Potencia - max : 3.1W
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor : 1206-8 ChipFET™
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para SI5513CDC-T1-GE3
Hojas de datos : SI5513CDC-T1-GE3.pdf
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