1N5552US - DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Número de pieza del fabricante

1N5552US

Número interno de parte

ABC-1N5552US

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

59598 Pieces

Precio de referencia

~~USD 7.06~~

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Especificaciones para 1N5552US

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N5552US

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 3A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.2V @ 9A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 2µs

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 600V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : SQ-MELF, B

Paquete del dispositivo del proveedor : D-5B

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N5552US

Hojas de datos : 1N5552US.pdf

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