1N1206A - DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Número de pieza del fabricante

1N1206A

Número interno de parte

ABC-1N1206A

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

182280 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.05214~~

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Especificaciones para 1N1206A

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 1N1206A

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 600V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 12A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.1V @ 12A

Velocidad : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : -

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 50V

Capacitancia a Vr, F : -

Tipo de montaje : Chassis, Stud Mount

Paquete / Caja : DO-203AA, DO-4, Stud

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-4

Temperatura de funcionamiento - Unión : -65°C ~ 200°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 1N1206A

Hojas de datos : 1N1206A.pdf

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