SSM6H19NU,LF - MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Número de pieza del fabricante

SSM6H19NU,LF

Número interno de parte

ABC-SSM6H19NU,LF

Fabricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6504218 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.050325~~

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Especificaciones para SSM6H19NU,LF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SSM6H19NU,LF

Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descripción : MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Serie : U-MOSVII-H

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 185 mOhm @ 1A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 4.2V

Vgs (Max) : ±12V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 130pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 6-UDFN (2x2)

Paquete / Caja : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SSM6 , SSM6H1

Documentos para SSM6H19NU,LF

Hojas de datos : SSM6H19NU,LF.pdf

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