SI7123DN-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Número de pieza del fabricante

SI7123DN-T1-GE3

Número interno de parte

ABC-SI7123DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1425620 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SI7123DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI7123DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 10.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.6 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3729pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.5W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SI712 , SI7123D

Documentos para SI7123DN-T1-GE3

Hojas de datos : SI7123DN-T1-GE3.pdf

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