SI4966DY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Número de pieza del fabricante

SI4966DY-T1-E3

Número interno de parte

ABC-SI4966DY-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

52455 Pieces

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Especificaciones para SI4966DY-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI4966DY-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : -

Potencia - max : 2W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-SO

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI4966DY-T1-E3

Hojas de datos : SI4966DY-T1-E3.pdf

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