NTD5C648NLT4G - T6 60V LL DPAK

Número de pieza del fabricante

NTD5C648NLT4G

Número interno de parte

ABC-NTD5C648NLT4G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

T6 60V LL DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

564228 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.580115~~

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Especificaciones para NTD5C648NLT4G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : NTD5C648NLT4G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : T6 60V LL DPAK

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 22A (Ta), 91A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2900pF @ 30V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 4.4W (Ta), 76W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK (SINGLE GAUGE)

Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : NTD5 , NTD5C6

Documentos para NTD5C648NLT4G

Hojas de datos : NTD5C648NLT4G.pdf

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