ESH1B M2G - DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Número de pieza del fabricante

ESH1B M2G

Número interno de parte

ABC-ESH1B M2G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

8651377 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.037835~~

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Especificaciones para ESH1B M2G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : ESH1B M2G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo de diodo : Standard

Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V

Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 1A

Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 900mV @ 1A

Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inverso (trr) : 15ns

Corriente - Fuga inversa @ Vr : 1µA @ 100V

Capacitancia a Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : DO-214AC, SMA

Paquete del dispositivo del proveedor : DO-214AC (SMA)

Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 175°C

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para ESH1B M2G

Hojas de datos : ESH1B M2G.pdf

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