DMN2023UCB4-7 - MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Número de pieza del fabricante

DMN2023UCB4-7

Número interno de parte

ABC-DMN2023UCB4-7

Fabricante

Diodes Incorporated

Breve descripción

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2337867 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DMN2023UCB4-7

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DMN2023UCB4-7

Fabricante : Diodes Incorporated

Descripción : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Serie : Automotive, AEC-Q101

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain

Característica FET : Standard

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 24V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3333pF @ 10V

Potencia - max : 1.45W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 4-XFBGA, WLBGA

Paquete del dispositivo del proveedor : X1-WLB1818-4

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para DMN2023UCB4-7

Hojas de datos : DMN2023UCB4-7.pdf

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