SQS460ENW-T1_GE3 - MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Número de pieza del fabricante

SQS460ENW-T1_GE3

Número interno de parte

ABC-SQS460ENW-T1_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1535289 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.2132~~

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Especificaciones para SQS460ENW-T1_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQS460ENW-T1_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W

Serie : *

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 755pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 39W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8W

Paquete / Caja : PowerPAK® 1212-8W

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SQS46 , SQS460EN

Documentos para SQS460ENW-T1_GE3

Hojas de datos : SQS460ENW-T1_GE3.pdf

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