EPC2012 - GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Número de pieza del fabricante

EPC2012

Número interno de parte

ABC-EPC2012

Fabricante

EPC

Breve descripción

GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

40288 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para EPC2012

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : EPC2012

Fabricante : EPC

Descripción : GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : GaNFET (Gallium Nitride)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 5V

Vgs (Max) : +6V, -5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 145pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : -

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Die

Paquete / Caja : Die

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : EP , EPC

Documentos para EPC2012

Hojas de datos : EPC2012.pdf

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