SI1065X-T1-E3 - MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Número de pieza del fabricante

SI1065X-T1-E3

Número interno de parte

ABC-SI1065X-T1-E3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

27132 Pieces

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Especificaciones para SI1065X-T1-E3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SI1065X-T1-E3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : -

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 10.8nC @ 5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 480pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 236mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SC-89-6

Paquete / Caja : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SI1065X-T1-E3

Hojas de datos : SI1065X-T1-E3.pdf

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