TSM088NA03CR RLG - MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

Número de pieza del fabricante

TSM088NA03CR RLG

Número interno de parte

ABC-TSM088NA03CR RLG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

2958599 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.110635~~

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Especificaciones para TSM088NA03CR RLG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM088NA03CR RLG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 61A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 750pF @ 15V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 56W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-PDFN (5x6)

Paquete / Caja : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TSM08 , TSM088NA

Documentos para TSM088NA03CR RLG

Hojas de datos : TSM088NA03CR RLG.pdf

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