TSM650P02CX RFG - MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Número de pieza del fabricante

TSM650P02CX RFG

Número interno de parte

ABC-TSM650P02CX RFG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

6785338 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para TSM650P02CX RFG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM650P02CX RFG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 20V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.1A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 515pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.56W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TSM65 , TSM650P

Documentos para TSM650P02CX RFG

Hojas de datos : TSM650P02CX RFG.pdf

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