TSM60NB041PW C1G - MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Número de pieza del fabricante

TSM60NB041PW C1G

Número interno de parte

ABC-TSM60NB041PW C1G

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descripción

MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

68589 Pieces

Precio de referencia

~~USD 6.135~~

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Especificaciones para TSM60NB041PW C1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : TSM60NB041PW C1G

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descripción : MOSFET N-CHANNEL 600V 78A TO247

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 78A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 41 mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6120pF @ 100V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 446W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : TSM60 , TSM60NB0

Documentos para TSM60NB041PW C1G

Hojas de datos : TSM60NB041PW C1G.pdf

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